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- MOSFET339
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- Infineon Technologies191Vishay66STMicroelectronics50ON Semiconductor29IXYS3
- Leistung (max) P(TOT)
- 350 mW1400 mW2830 mW21.0 W13.8 W220 W125 W129 W130 W131 W232 W134 W336 W238 W240 W741 W142 W443 W544 W145 W948 W550 W451 W154 W360 W463 W166 W368 W770 W371 W274 W675 W578 W179 W380 W282 W183 W288 W290 W491 W192 W194 W195 W198 W199 W3101 W1107 W1110 W21115 W2120 W2125 W18128 W1130 W4131 W1135 W1140 W16143 W2144 W4150 W15151 W4156 W1160 W6170 W6176 W3178 W1180 W3190 W10200 W8208 W3214 W1220 W1227 W1230 W14235 W1250 W3277 W1278 W2280 W7294 W3300 W10310 W4312 W1312.5 W1320 W2330 W4333 W1340 W1341 W4350 W2360 W1370 W4375 W7380 W3390 W1391 W1470 W1481 W2517 W1520 W1580 W1595 W11040 W1
- R(DS)(on) Referenz-Strom
- 200 mA3500 mA21.2 A11.5 A21.9 A12 A12.2 A22.4 A12.5 A12.7 A12.75 A12.8 A12.9 A13 A13.1 A13.3 A13.4 A13.5 A13.7 A14 A24.1 A14.5 A24.8 A35.4 A15.5 A25.7 A16 A26.6 A37.2 A38.4 A58.5 A19 A19.2 A19.6 A110 A511 A612 A413 A313.5 A114 A115 A316 A617 A318 A321 A122 A323 A223.5 A124 A325 A325.5 A126 A128 A330 A131 A132 A133 A335 A238 A240 A441 A142 A144 A245 A246 A347 A149 A150 A352 A156 A157 A158 A159 A160 A262 A165 A166 A170 A275 A1676 A178 A1100 A9101 A1110 A2121 A1125 A1165 A1170 A1180 A1195 A2
- U(DSS)
- -100 V1-60 V124 V130 V440 V1050 V255 V2260 V3275 V7100 V35150 V8200 V20250 V4300 V3400 V7500 V20600 V11800 V3900 V11000 V3
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Mosfets
339 ErgebnisseDetails | Preis | Verfügbarkeit | Gehäuse | U(GS)(th) max. | C(ISS) | R(DS)(on) Referenz-Strom | R(DS)(on) | Leistung (max) P(TOT) | Montageart | U(DSS) | Ausführung | Zertifizierungen | Verpackungsart | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRLZ44NPBF MOSFET 1 HEXFET 110 W TO-220Conrad Electronic zzgl. MwSt. 4148 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 3 | TO-220 | 2 V | 1700 pF | 25 A | 22 mΩ | 110 W | Durchführungsloch | 55 V | HEXFET | - | - | |||
 Abb. ähnlich ON Semiconductor 2N7000 MOSFET 1 N-Kanal 400 mW TO-92Conrad Electronic zzgl. MwSt. 7463 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 7 | TO-92 | 3 V | 50 pF | 500 mA | 5 Ω | 400 mW | Durchführungsloch | 60 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich ON Semiconductor BS170 MOSFET 1 N-Kanal 350 mW TO-92Conrad Electronic zzgl. MwSt. 2710 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 15 | TO-92 | 3 V | 60 pF | 200 mA | 5 Ω | 350 mW | Durchführungsloch | 60 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich STMicroelectronics VNP35N07-E MOSFET 1 N-Kanal 125 W TO-220Conrad Electronic zzgl. MwSt. 8 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-220 | - | - | - | 0.035 Ω | 125 W | Durchführungsloch | - | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRF4905PBF MOSFET 1 P-Kanal 200 W TO-220Conrad Electronic zzgl. MwSt. 301 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-220 | 4 V | 3400 pF | 38 A | 20 mΩ | 200 W | Durchführungsloch | 55 V | P-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich ON Semiconductor 2N7000TA MOSFET 1 N-Kanal 400 mW TO-92-3Conrad Electronic -45% 0,13 € 0,07143 € zzgl. MwSt. 1642 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-92-3 | 3 V | 50 pF | 500 mA | 5 Ω | 400 mW | Durchführungsloch | 60 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRFB4110PBF MOSFET 1 N-Kanal 370 W TO-220ABConrad Electronic zzgl. MwSt. 84 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-220AB | 4 V | 9620 pF | 75 A | 4.5 mΩ | 370 W | Durchführungsloch | 100 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRLZ34NPBF MOSFET 1 HEXFET 68 W TO-220Conrad Electronic zzgl. MwSt. 1253 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 3 | TO-220 | 2 V | 880 pF | 16 A | 35 mΩ | 68 W | Durchführungsloch | 55 V | HEXFET | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRF1405PBF MOSFET 1 N-Kanal 330 W TO-220Conrad Electronic zzgl. MwSt. 557 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-220 | 4 V | 5480 pF | 101 A | 5.3 mΩ | 330 W | Durchführungsloch | 55 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRFZ48NPBF MOSFET 1 N-Kanal 130 W TO-220Conrad Electronic zzgl. MwSt. 89 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 3 | TO-220 | 4 V | 1970 pF | 32 A | 14 mΩ | 130 W | Durchführungsloch | 55 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich ON Semiconductor BUZ11-NR4941 MOSFET 1 N-Kanal 75 W TO-220-3Conrad Electronic -62% 1,08 € 0,41 € zzgl. MwSt. 310 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-220-3 | 4 V | 2000 pF | 15 A | 40 mΩ | 75 W | Durchführungsloch | 50 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRFB3077PBF MOSFET 1 N-Kanal 370 W TO-220ABConrad Electronic zzgl. MwSt. 165 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-220AB | 4 V | 9400 pF | 75 A | 3.3 mΩ | 370 W | Durchführungsloch | 75 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich ON Semiconductor FQP27P06 MOSFET 1 P-Kanal 120 W TO-220-3Conrad Electronic zzgl. MwSt. 145 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-220-3 | 4 V | 1400 pF | 13.5 A | 70 mΩ | 120 W | Durchführungsloch | 60 V | P-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRF9540NPBF MOSFET 1 P-Kanal 140 W TO-220Conrad Electronic zzgl. MwSt. 67 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 2 | TO-220 | 4 V | 1300 pF | 11 A | 117 mΩ | 140 W | Durchführungsloch | 100 V | P-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich ON Semiconductor BS170_D75Z MOSFET 1 N-Kanal 830 mW TO-92-3Conrad Electronic zzgl. MwSt. 7308 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 10 | TO-92-3 | 3 V | 40 pF | 200 mA | 5 Ω | 830 mW | Durchführungsloch | 60 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRL540NPBF MOSFET 1 N-Kanal 140 W TO-220Conrad Electronic zzgl. MwSt. 389 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-220 | 2 V | 1800 pF | 18 A | 44 mΩ | 140 W | Durchführungsloch | 100 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRFP4468PBF MOSFET 1 N-Kanal 520 W TO-247ACConrad Electronic zzgl. MwSt. 15 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-247AC | 4 V | 19860 pF | 180 A | 2.6 mΩ | 520 W | Durchführungsloch | 100 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Vishay IRFP460PBF MOSFET 1 N-Kanal 280 W TO-247Conrad Electronic zzgl. MwSt. 232 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-247 | 4 V | 4200 pF | 12 A | 270 mΩ | 280 W | Durchführungsloch | 500 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRF520NPBF MOSFET 1 N-Kanal 48 W TO-220Conrad Electronic zzgl. MwSt. 2598 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 3 | TO-220 | 4 V | 330 pF | 5.7 A | 200 mΩ | 48 W | Durchführungsloch | 100 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRF9530NPBF MOSFET 1 P-Kanal 79 W TO-220Conrad Electronic zzgl. MwSt. 85 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 3 | TO-220 | 4 V | 760 pF | 8.4 A | 200 mΩ | 79 W | Durchführungsloch | 100 V | P-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRF530NPBF MOSFET 1 N-Kanal 70 W TO-220AB TubeMEPATRONIK Elektronische Bauelemente Vertriebs GmbH zzgl. MwSt. 1350 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Do., 24. Sep. Min: 10 | TO-220AB | 20 V | 920 pF | 17 A | 0.09 Ω | 70 W | Durchführungsloch | 100 V | N-Kanal | RoHS | Tube | |||
 Abb. ähnlich Vishay IRF620PBF MOSFET 1 N-Kanal 50 W TO-220Conrad Electronic zzgl. MwSt. 100 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 3 | TO-220 | 4 V | 260 pF | 3.1 A | 800 mΩ | 50 W | Durchführungsloch | 200 V | N-Kanal | - | - | |||
zzgl. MwSt. 34 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-252AA | - | - | - | 0.48 Ω | 40 W | Durchführungsloch | - | P-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRLU024NPBF MOSFET 1 N-Kanal 45 W TO-251-3Conrad Electronic zzgl. MwSt. 15 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 3 | TO-251-3 | 2 V | 480 pF | 10 A | 65 mΩ | 45 W | Durchführungsloch | 55 V | N-Kanal | - | - | |||
zzgl. MwSt. 56 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 3 | TO-252AA | - | - | - | 0.065 Ω | 110 W | Durchführungsloch | - | P-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRFP260NPBF MOSFET 1 N-Kanal 300 W TO-247-3Conrad Electronic zzgl. MwSt. 153 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-247-3 | 4 V | 4057 pF | 28 A | 40 mΩ | 300 W | Durchführungsloch | 200 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Vishay IRF540PBF MOSFET 1 N-Kanal 150 W TO-220ABConrad Electronic zzgl. MwSt. 238 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 2 | TO-220AB | 4 V | 1700 pF | 17 A | 77 mΩ | 150 W | Durchführungsloch | 100 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRFP3710PBF MOSFET 1 N-Kanal 200 W TO-247-3Conrad Electronic zzgl. MwSt. 98 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-247-3 | 4 V | 3000 pF | 28 A | 25 mΩ | 200 W | Durchführungsloch | 100 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRFB3006PBF MOSFET 1 N-Kanal 375 W TO-220ABConrad Electronic zzgl. MwSt. 76 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-220AB | 4 V | 8970 pF | 170 A | 2.5 mΩ | 375 W | Durchführungsloch | 60 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Vishay IRFB9N60APBF MOSFET 1 N-Kanal 170 W TO-220Conrad Electronic -54% 2,34 € 1,08 € zzgl. MwSt. 88 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-220 | 4 V | 1400 pF | 5.5 A | 750 mΩ | 170 W | Durchführungsloch | 600 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRFP064NPBF MOSFET 1 N-Kanal 200 W TO-247Conrad Electronic zzgl. MwSt. 122 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-247 | 4 V | 4000 pF | 59 A | 8 mΩ | 200 W | Durchführungsloch | 55 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRF3205PBF MOSFET 1 N-Kanal 200 W TO-220AB TubeMEPATRONIK Elektronische Bauelemente Vertriebs GmbH zzgl. MwSt. 5335 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Do., 24. Sep. Min: 10 | TO-220AB | 20 V | 3247 pF | 110 A | 0.008 Ω | 200 W | Durchführungsloch | 55 V | N-Kanal | RoHS | Tube | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRF1324PBF MOSFET 1 N-Kanal 300 W TO-220ABConrad Electronic -29% zzgl. MwSt. 193 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-220AB | 4 V | 7590 pF | 195 A | 1.5 mΩ | 300 W | Durchführungsloch | 24 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRF1010E MOSFET 1 N-Kanal 200 W TO-220Conrad Electronic zzgl. MwSt. 415 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 3 | TO-220 | 4 V | 3210 pF | 50 A | 12 mΩ | 200 W | Durchführungsloch | 60 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRFB3207ZPBF MOSFET 1 N-Kanal 300 W TO-220ABConrad Electronic zzgl. MwSt. 13 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-220AB | 4 V | 6920 pF | 75 A | 4.1 mΩ | 300 W | Durchführungsloch | 75 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Vishay IRFBG30PBF MOSFET 1 N-Kanal 125 W TO-220Conrad Electronic -33% zzgl. MwSt. 124 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-220 | 4 V | 980 pF | 1.9 A | 5 Ω | 125 W | Durchführungsloch | 1000 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRFB7437PBF MOSFET 1 N-Kanal 230 W TO-220Conrad Electronic zzgl. MwSt. 90 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-220 | 3.9 V | 7330 pF | 100 A | 2 mΩ | 230 W | Durchführungsloch | 40 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich STMicroelectronics STP4NK60Z MOSFET 1 N-Kanal 70 W TO-220 TubeMEPATRONIK Elektronische Bauelemente Vertriebs GmbH zzgl. MwSt. 350 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Do., 24. Sep. Min: 10 | TO-220 | 30 V | 510 pF | 4 A | 2 Ω | 70 W | Durchführungsloch | 600 V | N-Kanal | RoHS | Tube | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRFZ44NPBF MOSFET 1 N-Kanal 94 W TO-220Conrad Electronic zzgl. MwSt. 840 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 2 | TO-220 | 4 V | 1470 pF | 25 A | 17.5 mΩ | 94 W | Durchführungsloch | 55 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Vishay IRFP064PBF MOSFET 1 N-Kanal 300 W TO-247ACConrad Electronic zzgl. MwSt. 13 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-247AC | 4 V | 7400 pF | 78 A | 9 mΩ | 300 W | Durchführungsloch | 60 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IPP60R160C6 MOSFET 1 N-Kanal 176 W TO-220Conrad Electronic zzgl. MwSt. 62 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Do., 24. Sep. | TO-220 | - | - | - | 0.16 Ω | 176 W | Durchführungsloch | - | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRFB3806PBF MOSFET 1 N-Kanal 71 W TO-220ABConrad Electronic zzgl. MwSt. 270 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Do., 24. Sep. Min: 10Vielfache: 10 | TO-220AB | 4 V | 1150 pF | 25 A | 15.8 mΩ | 71 W | Durchführungsloch | 60 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich ON Semiconductor FCH072N60F MOSFET 1 N-Kanal 481 W TO-247-3Conrad Electronic zzgl. MwSt. 359 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Do., 24. Sep. | TO-247-3 | 5 V | 8660 pF | 26 A | 72 mΩ | 481 W | Durchführungsloch | 600 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IPP65R095C7 MOSFET 1 N-Kanal 128 W TO-220Conrad Electronic zzgl. MwSt. 748 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Do., 24. Sep. | TO-220 | - | - | - | 0.095 Ω | 128 W | Durchführungsloch | - | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Vishay IRFP350PBF MOSFET 1 N-Kanal 190 W TO-247ACConrad Electronic zzgl. MwSt. 7 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-247AC | 4 V | 2600 pF | 9.6 A | 300 mΩ | 190 W | Durchführungsloch | 400 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies SPP20N60C3 MOSFET 1 N-Kanal 208 W TO-220Conrad Electronic zzgl. MwSt. 598 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Do., 24. Sep. | TO-220 | - | - | - | 0.19 Ω | 208 W | Durchführungsloch | - | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRF540NPBF MOSFET 1 N-Kanal 130 W TO-220Conrad Electronic zzgl. MwSt. 628 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-220 | 4 V | 1960 pF | 16 A | 44 mΩ | 130 W | Durchführungsloch | 100 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRFP250NPBF MOSFET 1 N-Kanal 214 W TO-247Conrad Electronic zzgl. MwSt. 151 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-247 | 4 V | 2159 pF | 18 A | 75 mΩ | 214 W | Durchführungsloch | 200 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRLB3036PBF MOSFET 1 N-Kanal 380 W TO-220ABConrad Electronic zzgl. MwSt. 24 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-220AB | 2.5 V | 11210 pF | 165 A | 2.4 mΩ | 380 W | Durchführungsloch | 60 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Vishay IRFP460APBF MOSFET 1 N-Kanal 280 W TO-247Conrad Electronic zzgl. MwSt. 81 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-247 | 4 V | 3100 pF | 12 A | 270 mΩ | 280 W | Durchführungsloch | 500 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Vishay IRF740PBF MOSFET 1 N-Kanal 125 W TO-220Conrad Electronic zzgl. MwSt. 149 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-220 | 4 V | 1400 pF | 6 A | 550 mΩ | 125 W | Durchführungsloch | 400 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRLB3813PBF MOSFET 1 N-Kanal 230 W TO-220ABConrad Electronic zzgl. MwSt. 69 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-220AB | 2.35 V | 8420 pF | 60 A | 1.95 mΩ | 230 W | Durchführungsloch | 30 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich STMicroelectronics IRF630 MOSFET 1 N-Kanal 75 W TO-220ABConrad Electronic zzgl. MwSt. 13 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 3 | TO-220AB | 4 V | 700 pF | 4.5 A | 400 mΩ | 75 W | Durchführungsloch | 200 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRFB3306PBF MOSFET 1 N-Kanal 230 W TO-220ABConrad Electronic zzgl. MwSt. 60 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-220AB | 4 V | 4520 pF | 75 A | 4.2 mΩ | 230 W | Durchführungsloch | 60 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRFB3206PBF MOSFET 1 N-Kanal 300 W TO-220ABConrad Electronic zzgl. MwSt. 182 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-220AB | 4 V | 6540 pF | 75 A | 3 mΩ | 300 W | Durchführungsloch | 60 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRF1104PBF MOSFET 1 N-Kanal 170 W TO-220ABConrad Electronic -51% 1,50 € 0,73 € zzgl. MwSt. 49 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-220AB | 4 V | 2900 pF | 60 A | 9 mΩ | 170 W | Durchführungsloch | 40 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies SPW20N60S5 MOSFET 1 N-Kanal 208 W TO-247Conrad Electronic -29% 7,13 € 5,03 € zzgl. MwSt. 250 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-247 | 5.5 V | 3000 pF | 13 A | 190 mΩ | 208 W | Durchführungsloch | 600 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRF9Z24NPBF MOSFET 1 P-Kanal 45 W TO-220ABConrad Electronic zzgl. MwSt. 525 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 3 | TO-220AB | 4 V | 350 pF | 7.2 A | 175 mΩ | 45 W | Durchführungsloch | 55 V | P-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Vishay IRFP9240 MOSFET 1 P-Kanal 150 W TO-247Conrad Electronic zzgl. MwSt. 166 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-247 | 4 V | 1200 pF | 7.2 A | 500 mΩ | 150 W | Durchführungsloch | 200 V | P-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRLB3034PBF MOSFET 1 N-Kanal 375 W TO-220ABConrad Electronic zzgl. MwSt. 617 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-220AB | 2.5 V | 10315 pF | 195 A | 1.7 mΩ | 375 W | Durchführungsloch | 40 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Vishay IRFP240 MOSFET 1 N-Kanal 150 W TO-247Conrad Electronic -52% zzgl. MwSt. Bald verfügbar | TO-247 | 4 V | 1300 pF | 12 A | 180 mΩ | 150 W | Durchführungsloch | 200 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich STMicroelectronics STP16NF06 MOSFET 1 N-Kanal 45 W TO-220 TubeConrad Electronic zzgl. MwSt. 62 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-220 | 20 V | 315 pF | 16 A | 0.1 Ω | 45 W | Durchführungsloch | 60 V | N-Kanal | RoHS | Tube | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRLB8743PBF MOSFET 1 N-Kanal 140 W TO-220ABConrad Electronic zzgl. MwSt. 66 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-220AB | 2.35 V | 5110 pF | 40 A | 3.2 mΩ | 140 W | Durchführungsloch | 30 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich STMicroelectronics STP40NF10L MOSFET 1 N-Kanal 150 W TO-220Conrad Electronic zzgl. MwSt. 120 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Do., 24. Sep. Min: 10Vielfache: 10 | TO-220 | - | - | - | 0.033 Ω | 150 W | Durchführungsloch | - | N-Kanal | - | - | |||
zzgl. MwSt. 334 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 3 | TO-252AA | - | - | - | 0.11 Ω | 45 W | Durchführungsloch | - | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRFB7446PBF MOSFET 1 N-Kanal 99 W TO-220Conrad Electronic zzgl. MwSt. 6 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-220 | 3.9 V | 3183 pF | 70 A | 3.3 mΩ | 99 W | Durchführungsloch | 40 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich STMicroelectronics STP26NM60N MOSFET 1 N-Kanal 140 W TO-220Conrad Electronic zzgl. MwSt. 22 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-220 | - | - | - | 0.165 Ω | 140 W | Durchführungsloch | - | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRF640NPBF MOSFET 1 N-Kanal 150 W TO-220Conrad Electronic zzgl. MwSt. 11 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-220 | 4 V | 1160 pF | 11 A | 150 mΩ | 150 W | Durchführungsloch | 200 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRFB4410ZPBF MOSFET 1 N-Kanal 230 W TO-220ABConrad Electronic -40% zzgl. MwSt. 106 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-220AB | 4 V | 4820 pF | 58 A | 9 mΩ | 230 W | Durchführungsloch | 100 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRF5305PBF MOSFET 1 P-Kanal 110 W TO-220ABConrad Electronic zzgl. MwSt. 14 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-220AB | 4 V | 1200 pF | 16 A | 60 mΩ | 110 W | Durchführungsloch | 55 V | P-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRLB8748PBF MOSFET 1 N-Kanal 75 W TO-220ABConrad Electronic zzgl. MwSt. 554 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 3 | TO-220AB | 2.35 V | 2139 pF | 40 A | 4.8 mΩ | 75 W | Durchführungsloch | 30 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRFP3206PBF MOSFET 1 N-Kanal 280 W TO-247ACConrad Electronic zzgl. MwSt. 340 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-247AC | 4 V | 6540 pF | 75 A | 3 mΩ | 280 W | Durchführungsloch | 60 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRFB3307ZPBF MOSFET 1 N-Kanal 230 W TO-220ABConrad Electronic -29% zzgl. MwSt. 84 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-220AB | 4 V | 4750 pF | 75 A | 5.8 mΩ | 230 W | Durchführungsloch | 75 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRF1310NPBF MOSFET 1 N-Kanal 160 W TO-220ABConrad Electronic 0,56 € zzgl. MwSt. 72 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-220AB | 4 V | 1900 pF | 22 A | 36 mΩ | 160 W | Durchführungsloch | 100 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich STMicroelectronics STP55NF06L MOSFET 1 N-Kanal 95 W TO-220Conrad Electronic zzgl. MwSt. 480 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Do., 24. Sep. Min: 10Vielfache: 10 | TO-220 | - | - | - | 0.018 Ω | 95 W | Durchführungsloch | - | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRF9Z34NPBF MOSFET 1 P-Kanal 68 W TO-220ABConrad Electronic zzgl. MwSt. Bald verfügbar Min: 3 | TO-220AB | - | - | - | 0.1 Ω | 68 W | Durchführungsloch | - | P-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRFU5305PBF MOSFET 1 P-Kanal 110 W I-PAKConrad Electronic zzgl. MwSt. 329 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 3 | I-PAK | 4 V | 1200 pF | 16 A | 65 mΩ | 110 W | Durchführungsloch | 55 V | P-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich STMicroelectronics STP60NF06 MOSFETDescrizioneConrad Electronic zzgl. MwSt. 530 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Do., 24. Sep. Min: 10Vielfache: 10 | TO-220 | - | - | - | 0.016 Ω | 110 W | Durchführungsloch | - | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRFU120NPBF MOSFET 1 N-Kanal 48 WConrad Electronic zzgl. MwSt. 7 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | - | - | - | - | 0.21 Ω | 48 W | Durchführungsloch | - | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRLB4030PBF MOSFET 1 N-Kanal 370 W TO-220ABConrad Electronic zzgl. MwSt. 294 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-220AB | 2.5 V | 11360 pF | 110 A | 4.3 mΩ | 370 W | Durchführungsloch | 100 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRFB4227PBF MOSFET 1 N-Kanal 330 W TO-220ABConrad Electronic zzgl. MwSt. 63 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-220AB | 5 V | 4600 pF | 46 A | 24 mΩ | 330 W | Durchführungsloch | 200 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Vishay IRF530PBF MOSFET 1 N-Kanal 88 W TO-220ABConrad Electronic zzgl. MwSt. 88 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 3 | TO-220AB | 4 V | 670 pF | 8.4 A | 160 mΩ | 88 W | Durchführungsloch | 100 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IPP60R190P6 MOSFET 1 N-Kanal 151 W TO-220Conrad Electronic zzgl. MwSt. 453 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Do., 24. Sep. | TO-220 | - | - | - | 0.19 Ω | 151 W | Durchführungsloch | - | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRFU9024NPBF MOSFET 1 P-Kanal 38 W I-PAKConrad Electronic zzgl. MwSt. 3 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 3 | I-PAK | 4 V | 350 pF | 6.6 A | 175 mΩ | 38 W | Durchführungsloch | 55 V | P-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IPP60R190C6 MOSFET 1 N-Kanal 151 W TO-220Conrad Electronic zzgl. MwSt. Lieferung Do., 19. Nov. | TO-220 | - | - | - | 0.19 Ω | 151 W | Durchführungsloch | - | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Vishay IRF730PBF MOSFET 1 N-Kanal 74 W TO-220Conrad Electronic zzgl. MwSt. 143 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-220 | 4 V | 700 pF | 3.3 A | 1 Ω | 74 W | Durchführungsloch | 400 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRF5210PBF MOSFET 1 P-Kanal 200 W TO-220Conrad Electronic zzgl. MwSt. 176 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-220 | 4 V | 2700 pF | 24 A | 60 mΩ | 200 W | Durchführungsloch | 100 V | P-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Vishay IRFZ44PBF MOSFET 1 N-Kanal 150 W TO-220ABConrad Electronic -63% 1,50 € 0,55 € zzgl. MwSt. 41 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-220AB | 4 V | 1900 pF | 31 A | 28 mΩ | 150 W | Durchführungsloch | 60 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRFP150NPBF MOSFET 1 N-Kanal 160 W TO-247-3Conrad Electronic zzgl. MwSt. 274 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-247-3 | 4 V | 1900 pF | 23 A | 36 mΩ | 160 W | Durchführungsloch | 100 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich ON Semiconductor FQA36P15 MOSFET 1 P-Kanal 294 W TO-3P-3Conrad Electronic -54% 4,19 € 1,92 € zzgl. MwSt. 322 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-3P-3 | 4 V | 3320 pF | 18 A | 90 mΩ | 294 W | Durchführungsloch | 150 V | P-Kanal | - | - | |||
Ratgeber
Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren – kurz MOSFETs – sind die bei weitem häufigsten Transistoren in digitalen Schaltungen. Da sie sich enorm verkleinern lassen, finden sie sich in riesigen Mengen in Speicherchips oder Mikroprozessoren. So enthält beispielsweise ein moderner DDR4-Speicherriegel mit 128 Gigabyte Kapazität über 137 Milliarden Transistoren.
Erfahren Sie hier, wie MOSFETS aufgebaut sind, wie sie funktionieren und für welche Einsatzzwecke sie geeignet sind.
Ihre Fähigkeit, die Leitfähigkeit mit der Höhe der angelegten Spannung zu ändern, lässt sich zur Verstärkung oder zum Schalten von elektronischen Signalen nutzen.
Letztlich ist der unipolare MOSFET ein über die Spannung steuerbarer Widerstand. Im Vergleich zu einem Bipolartransistor benötigt er fast keinen Eingangsstrom zur Steuerung des Laststroms, einer der größten Vorteile dieses Bauelements.
Die Bezeichnung "Metall-Oxid-Halbleiter" beziehungsweise „metal-oxid-semiconductor“ (MOS) bezieht sich typischerweise auf ein Metall-Gate, eine Oxid-Isolation und einen Halbleiter, in der Regel Silizium.
Das Metall in MOSFET ist jedoch heutzutage oft irreführend, da das Gate-Material ebenso eine Schicht aus Polysilizium (polykristallines Silizium) sein kann.
Neben Oxid lassen sich auch verschiedene dielektrische Materialien verwenden, um effiziente Kanäle bei kleineren angelegten Spannungen zu erhalten. Der MOS-Kondensator ist ebenfalls ein Teil dieser Struktur.
MOSFETs sind entweder Teil integrierter MOS-Schaltkreis-Chips oder diskrete Bauteile. Möglich sind zudem Single-Gate- oder Multi-Gate-Ausführungen.
Da alle entweder dem p-Typ- oder dem n-Typ-Halbleitern entsprechen, lassen sich komplementäre Paare für Schaltkreise mit sehr geringem Stromverbrauch herstellen.
Produziert werden MOSFETs in zwei Varianten: als „normal leitend“ – der sogenannte Verarmungstyp – und als normal sperrend – der Anreicherungstyp.
Allen Typen gemeinsam sind die drei Anschlüsse „S“ für Source, „D“ für Drain“ und „G“ für Gate, im Deutschen entsprechend Quelle, Abfluss und Steueranschluss.
Ein MOSFET beruht auf der Steuerung der Ladungsträgerkonzentration über einen MOS-Kondensator zwischen den Substratelektroden und dem Gate. Das Gate befindet sich auf der Oberseite des Substrats und ist von allen anderen Bereichen des Bauelements durch eine dielektrische Schicht isoliert, zum Beispiel durch Siliziumdioxid. Werden andere dielektrische Materialien als Oxide verwendet, spricht man von einem Metall-Isolator-Halbleiter-Feldeffekttransistor, kurz MISFET. Eingebürgert hat sich außerdem die für alle Typen geltende Abkürzung IGFET für einen Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate.
Im Vergleich zum reinen MOS-Kondensator enthält der MOSFET die beiden zusätzlichen Anschlüsse Source und Drain, die jeweils mit hochdotierten Bereichen verbunden sind, getrennt durch den Substratbereich. Diese Bereiche können entweder vom p-Typ oder vom n-Typ sein. Source und Drain sind stark dotiert und werden in der Notation durch ein '+'-Zeichen hinter dem Dotierungstyp angegeben.
Wenn es sich bei dem IGFET um einen n-Kanal handelt, sind die Dotierungsbereiche für Source und Drain "n+"-Bereiche und das Substrat ist ein "p"-Typ-Bereich.
Beim p-Kanal sind die Dotierungsbereiche für Source und Drain "p+"-Bereiche und das Substrat ist ein "n"-Typ-Bereich. Der Source-Anschluss wird so genannt, weil er den Ursprung der Ladungsträger bildet, die durch den Kanal fließen. Analog dazu ist der Drain der Punkt, an dem die Ladungsträger den Kanal verlassen.
Beim Anlegen einer negativen Gate-Source-Spannung entsteht auf einer n-Typ-Substratoberfläche ein p-Typ-Kanal, analog zum n-Kanal, jedoch mit entgegengesetzten Polaritäten der Ladungen und Spannungen.
Ist die Spannung kleiner als die Schwellenspannung, verschwindet der Kanal und es kann nur ein kleiner Unterschwellenstrom zwischen Drain und Source fließen.
FAQ – häufig gestellte Fragen
In welchen Gehäuseformen und für welche Montagearten gibt es IGFETs?
Diese Bauteile gibt es sowohl mit Lötanschlüssen als auch für die SMD-Montage direkt auf der Platine. Einige Typen besitzen Durchführungslöcher für Schrauben und das Anbringen von Kühlkörpern.
Für welchen maximalen Temperaturbereich sind MOSFETs ausgelegt?
Gängige Maxima reichen von 125 bis zu 225 Grad Celsius.
Was ist der Unterschied zwischen einem Transistor und einem Feldeffekttransistor?
Letztlich gehören beide zur Gruppe der Transistoren und können als Schalter oder Verstärker eingesetzt werden. Feldeffekttransistoren arbeiten im Gegensatz zu Transistoren mit einer Steuerspannung beziehungsweise einem elektrischen Feld, ein Steuerstrom fließt dabei nicht. Außerdem lassen sich Feldeffekttransistoren auch für Wechselstromverstärkung einsetzen, bei bipolaren Transistoren ist das nicht möglich.