Abbildung ähnlich
Abbildung ähnlich
Infineon Technologies IRF1104PBF MOSFET 1 N-Kanal 170 W TO-220AB
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Produkt-Art
MOSFET
Gehäuse
TO-220AB
Ausführung
N-Kanal
Leistung (max) P(TOT)
170 W
R(DS)(on)
9 mΩ
Datenblatt (PDF)
49 Stück (Nur solange der Vorrat reicht)
Neu
Rechnungsstellung für alle Partner-Artikel jetzt direkt durch ConradAnzahl
Gesamt (0,73 € / Stück)
1,50 €
-51 %
0,73 €
zzgl. MwSt.
& Kostenfreier Versand mit
14 Tage Rückgaberecht inklusive (30 Tage mit)
Highlights & Details
MOSFET
Unser Service für Sie
Technische Daten
- Typ
IRF1104PBF
- Produkt-Art
MOSFET
- Gehäuse
TO-220AB
- Hersteller
Infineon Technologies
- Herst.-Abk.
INF
- Ausführung
N-Kanal
- I(d)
100 A
- U
40 V
- Leistung (max) P(TOT)
170 W
- R(DS)(on)
9 mΩ
- R(DS)(on) Referenz-Strom
60 A
- R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
- U(GS)(th) max.
4 V
- U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
- Q(G)
93 nC
- Q(G) Referenz-Spannung
10 V
- C(ISS)
2900 pF
- C(ISS) Referenz-Spannung
25 V
- Betriebstemperatur (min.)
-55 °C
- Montageart
Durchführungsloch
- Serie
HEXFET®
- Betriebstemperatur (max.)
+175 °C
- Transistor-Merkmal
Standard
- U(DSS)
40 V
- Kanäle
1
- Inhalt
1 St.
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 563940 Infineon Technologies IRF1104PBF MOSFET 1 N-Kanal 170 W TO-220AB
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 563940 Infineon Technologies IRF1104PBF MOSFET 1 N-Kanal 170 W TO-220AB