Taiwan Semiconductor Diode 1N5408G DO-201AD 3 mA Tape
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Verpackungsart
Tape
Produkt-Art
Diode
Gehäuse
DO-201AD
Durchlassstrom I(F)
3 mA
Durchlassspannung U(F)
1 V
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Highlights & Details
Si-Gleichr 1000V 3A DO201AD
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Technische Daten
- Verpackungsart
Tape
- Typ
1N5408G
- Produkt-Art
Diode
- Gehäuse
DO-201AD
- Hersteller
Taiwan Semiconductor
- Durchlassstrom I(F)
3 mA
- Durchlassspannung U(F)
1 V
- Sperrstrom I(r)
5.000 nA
- Betriebstemperatur (min.)
-55 °C
- Betriebstemperatur (max.)
150 °C
- Montageart
Durchsteckmontage
- Serie
1N5408
- RoHS-konform
Ja
- AEC-Compliance
AEC-Q101
- Konfiguration (Diode)
Einzeln
- U(RRM)
1.000 V
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 2992975 Taiwan Semiconductor Diode 1N5408G DO-201AD 3 mA Tape
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 2992975 Taiwan Semiconductor Diode 1N5408G DO-201AD 3 mA Tape