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Samsung - DDR5 - Modul - 8 GB - SO DIMM 262-PIN
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Samsung DDR5 - Modul - 8 GB - SO-DIMM 262-Pin
Highlights & Details
- Samsung - DDR5 - Modul - 8 GB - SO DIMM 262-PIN - 5600 MHz - ungepuffert
- Produkttyp : Speichermodul
- Kapazität : 8 GB
- Speichertyp : DDR5 SDRAM - SO DIMM 262-PIN
- Erweiterungstyp : Generisch
- Geschwindigkeit : 5600 MHz
- Latenzzeiten : CL40
- Leistungsmerkmale : Single Rank, ungepuffert
- Spannung : 1.1 V
Technische Daten
- 5600 MHz - CL40 - 1.1 V - ungepuffert
- Arbeitsspeicher-Typ
DDR5-RAM
- Typ
Samsung - DDR5 - Modul - 8 GB - SO DIMM 262-PIN
- Arbeitsspeicher
8 GB
- Speicher
1
- Speicherkapazität je Modul
8 GB
- Bauform
262pin SO-DIMM
- Takt-Frequenz
5600 MHz
- Latenzzeiten
CL40
- Besonderheiten
Unbuffered (Ungepuffert)
- Betriebsspannung
1.1 V
- Speicher-Technologie
DDR5
- Anwendungsbereiche
Notebook
- Speichergröße (Arbeitsspeicher)
1 x 8 GB
- Kabellänge
0 cm
- Tastaturlayout
Deutsch, QWERTZ
- UKCA
Ja
Beschreibung
Samsung M425R1GB4PB0-CWM. Komponente für: Laptop, Speicherkapazität: 8 GB, Speicherlayout (Module x Größe): 1 x 8 GB, Interner Speichertyp: DDR5, Speichertaktfrequenz: 5600 MHz, Memory Formfaktor: 262-pin SO-DIMM
Ausführung
- Samsung - DDR5 - Modul - 8 GB - SO DIMM 262-PIN - 5600 MHz - ungepuffert
- Produkttyp : Speichermodul
- Kapazität : 8 GB
- Speichertyp : DDR5 SDRAM - SO DIMM 262-PIN
- Erweiterungstyp : Generisch
- Geschwindigkeit : 5600 MHz
- Latenzzeiten : CL40
- Leistungsmerkmale : Single Rank, ungepuffert
- Spannung : 1.1 V