Samsung 16 GB PC5-44800 DDR5-5600 MHz Non-ECC
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Samsung DDR5 - Modul - 16 GB - SO-DIMM 262-Pin
Highlights & Details
- Samsung - DDR5 - Modul - 16 GB - SO-DIMM 262-Pin - 2800 MHz / PC5-44800; Produkttyp: Speichermodul; Kapazität: 16 GB; Speichertyp: DDR5 SDRAM - SO-DIMM 262-Pin; Erweiterungstyp: Generisch; Geschwindigkeit: 2800 MHz (PC5-44800); Leistungsmerkmale: Single Rank; Spannung: 1.1 V
Technische Daten
- Speicherlayout (Module x Größe): 1 x 16 GB
- Komponente für: Laptop
- Arbeitsspeicher-Typ
DDR5-RAM
- Typ
M425R2GA3PB0-CWM
- Arbeitsspeicher
16 GB
- Speicher
1
- Speicherkapazität je Modul
16 GB
- Bauform
262pin SO-DIMM
- Spezifikation
PC5-44800
- Takt-Frequenz
2800 MHz
- Datenintegritätsprüfung
Non-ECC
- Besonderheiten
Single Rank
- Betriebsspannung
1.1 V
- Speicher-Technologie
DDR5
- Anwendungsbereiche
Notebook
- Speichergröße (Arbeitsspeicher)
1 x 16 GB
- Arbeitsspeicher / Takt
5600 MHz
16 GB
- UKCA
Ja
Beschreibung
Das Samsung-Speichermodul bietet mit seiner Kapazität von 16 GB Leistung und Zuverlässigkeit und ist ideal für speicherintensive Anwendungen. Dieses Modul nutzt die DDR5-SDRAM-Technologie und arbeitet mit einer Speichergeschwindigkeit von 2800 MHz, um einen schnellen Datenzugriff und Verarbeitungsmöglichkeiten zu gewährleisten. Die Standard-Versorgungsspannung von 1,1 V sorgt für Energieeffizienz und der SO-DIMM-Formfaktor mit 262 Pins ermöglicht eine einfache Installation in kompatiblen Geräten.
Durch das Layout mit nur einer Ebene optimiert dieses Speichermodul die Datenübertragung und verbessert die Reaktionsfähigkeit des Systems. Die Aufrüstung eines Laptops oder eines kompakten Geräts führt zu einer verbesserten Leistung und einem reibungslosen Multitasking-Erlebnis, das durch diese Speicherlösung ermöglicht wird.
Durch das Layout mit nur einer Ebene optimiert dieses Speichermodul die Datenübertragung und verbessert die Reaktionsfähigkeit des Systems. Die Aufrüstung eines Laptops oder eines kompakten Geräts führt zu einer verbesserten Leistung und einem reibungslosen Multitasking-Erlebnis, das durch diese Speicherlösung ermöglicht wird.