ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret MMBTH10LT1G SOT-23 NPN Tape on Full reel
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Verpackungsart
Tape on Full reel
Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
Gehäuse
SOT-23
Ausführung
NPN
Collector-Strom I(C)
0.05 A
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Highlights & Details
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Technische Daten
- Verpackungsart
Tape on Full reel
- Typ
MMBTH10LT1G
- Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
- Gehäuse
SOT-23
- Hersteller
ON Semiconductor
- Ausführung
NPN
- Collector-Strom I(C)
0.05 A
- Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
25 V
- Leistung (max) P(TOT)
0.225 W
- DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom
60 µA
- Transitfrequenz f(T)
0.65 GHz
- Montageart
Oberflächenmontage
- Inhalt
1 St.
- UKCA
Ja
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 3027594 ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret MMBTH10LT1G SOT-23 NPN Tape on Full reel
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 3027594 ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret MMBTH10LT1G SOT-23 NPN Tape on Full reel