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ON Semiconductor FDV301N MOSFET 1 N-Kanal 350 mW SOT-23-3
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Produkt-Art
MOSFET
Gehäuse
SOT-23-3
Ausführung
N-Kanal
Leistung (max) P(TOT)
350 mW
R(DS)(on)
4 Ω
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Highlights & Details
MOSFET
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Technische Daten
- Typ
FDV301N
- Produkt-Art
MOSFET
- Gehäuse
SOT-23-3
- Hersteller
ON Semiconductor
- Herst.-Abk.
OnS
- Ausführung
N-Kanal
- I(d)
220 mA
- U
25 V
- Leistung (max) P(TOT)
350 mW
- R(DS)(on)
4 Ω
- R(DS)(on) Referenz-Strom
400 mA
- R(DS)(on) Referenz-Spannung
4.5 V
- U(GS)(th) max.
1.06 V
- U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
- Q(G)
0.7 nC
- Q(G) Referenz-Spannung
4.5 V
- C(ISS)
9.5 pF
- C(ISS) Referenz-Spannung
10 V
- Betriebstemperatur (min.)
-55 °C
- Montageart
Oberflächenmontage
- Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
- Transistor-Merkmal
Logic Level Gate
- U(DSS)
25 V
- Kanäle
1
- Inhalt
1 St.
Dokumente & Downloads
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 1264012 ON Semiconductor FDV301N MOSFET 1 N-Kanal 350 mW SOT-23-3