IRF5305PBF TO220 P-CHANNEL HEXFET POWER MOSFET THT Infineon
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Verpackungsart
Tube
Produkt-Art
MOSFET
Gehäuse
TO-220
Ausführung
P-Kanal
Leistung (max) P(TOT)
110 W
Datenblatt (PDF)
243 Stück
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Highlights & Details
-55V Transistor: P-MOSFET unipolar 110W -31A TO220AB
- P-CHANNEL HEXFET POWER MOSFET
- RoHS konform: Ja
- Herstellerverpackungseinheit: 50 Stück
Technische Daten
- Drain-Source-Spannung: -55 VGate-Source-Spannung: +/- 20 VDrain-Strom: -31 ADrain-Strom (pulsierend): -110 AAvalanche-Strom (sich wiederholend): -16 AVerlustleistung @ Tc = 25°C: 110 WDrain-Source-Durchlasswiderstand: 0,06 OhmBetriebstemperatur: -55 - 175°C
- Verpackungsart
Tube
- Typ
-55V Transistor: P-MOSFET unipolar 110W -31A TO220AB
- Produkt-Art
MOSFET
- Gehäuse
TO-220
- Hersteller
Infineon Technologies
- Herst.-Abk.
INF
- Ausführung
P-Kanal
- I(d)
-31 A
- Leistung (max) P(TOT)
110 W
- R(DS)(on)
0.06 Ω
- R(DS)(on) Referenz-Strom
-31 A
- U(GS)(th) max.
20 V
- C(ISS)
1200 pF
- Betriebstemperatur (min.)
-55 °C
- Montageart
Durchsteckmontage
- Betriebstemperatur (max.)
175 °C
- U(DSS)
-55 V
- RoHS-konform
Ja
- Inhalt
1 St.
- UKCA
Ja
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 846987048 IRF5305PBF TO220 P-CHANNEL HEXFET POWER MOSFET THT Infineon
Beschreibung
Drain-Source Spannung: -55V
Drainstrom: -31A
Gate-Ladung: 42nC
Gate-Source Spannung: ±20V
Gehäuse: TO220AB
Drainstrom: -31A
Gate-Ladung: 42nC
Gate-Source Spannung: ±20V
Gehäuse: TO220AB