Infineon Technologies IRLR3110ZPBF-GURT MOSFET 1 N-Kanal 140 W TO-252AA
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Produkt-Art
MOSFET
Gehäuse
TO-252AA
Ausführung
N-Kanal
Leistung (max) P(TOT)
140 W
R(DS)(on)
0.016 Ω
Datenblatt (PDF)
441 Stück
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Highlights & Details
INFI SMD-Leistungs-MOSFETs gegurtet IRFR
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Technische Daten
- Typ
IRLR3110ZPBF-GURT
- Produkt-Art
MOSFET
- Gehäuse
TO-252AA
- Hersteller
Infineon Technologies
- Ausführung
N-Kanal
- I(d)
42 A
- U
100 V
- Leistung (max) P(TOT)
140 W
- R(DS)(on)
0.016 Ω
- Montageart
Durchführungsloch
- Kanäle
1
- Inhalt
1 St.
- UKCA
Ja
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 3026309 Infineon Technologies IRLR3110ZPBF-GURT MOSFET 1 N-Kanal 140 W TO-252AA
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 3026309 Infineon Technologies IRLR3110ZPBF-GURT MOSFET 1 N-Kanal 140 W TO-252AA
Beschreibung
Drain-Source Spannung: 100V
Drainstrom: 63A
Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level
Gehäuse: DPAK
Kanal-Art: stark
Drainstrom: 63A
Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level
Gehäuse: DPAK
Kanal-Art: stark