Infineon Technologies IRLL2705PBF-GURT MOSFET 1 N-Kanal 2.1 W SOT-223
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Produkt-Art
MOSFET
Gehäuse
SOT-223
Ausführung
N-Kanal
Leistung (max) P(TOT)
2.1 W
R(DS)(on)
0.065 Ω
Datenblatt (PDF)
1149 Stück
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Highlights & Details
INFI SMD-Leistungs-MOSFETs gegurtet IRFL
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Technische Daten
- Typ
IRLL2705PBF-GURT
- Produkt-Art
MOSFET
- Gehäuse
SOT-223
- Hersteller
Infineon Technologies
- Ausführung
N-Kanal
- I(d)
3.8 A
- U
55 V
- Leistung (max) P(TOT)
2.1 W
- R(DS)(on)
0.065 Ω
- Montageart
Oberflächenmontage
- Kanäle
1
- Inhalt
1 St.
- UKCA
Ja
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 3026298 Infineon Technologies IRLL2705PBF-GURT MOSFET 1 N-Kanal 2.1 W SOT-223
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 3026298 Infineon Technologies IRLL2705PBF-GURT MOSFET 1 N-Kanal 2.1 W SOT-223
Beschreibung
Drain-Source Spannung: 55V
Drainstrom: 3,8A
Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level
Gehäuse: SOT223
Kanal-Art: stark
Drainstrom: 3,8A
Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level
Gehäuse: SOT223
Kanal-Art: stark