Infineon Technologies IRF7342PBF-GURT MOSFET 2 P-Kanal 2.0 W SO-8
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Produkt-Art
MOSFET
Gehäuse
SO-8
Ausführung
P-Kanal
Leistung (max) P(TOT)
2.0 W
R(DS)(on)
0.17 Ω
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Highlights & Details
INFI SMD-Leistungs-MOSFETs gegurtet IRF_
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Technische Daten
- Typ
IRF7342PBF-GURT
- Produkt-Art
MOSFET
- Gehäuse
SO-8
- Hersteller
Infineon Technologies
- Ausführung
P-Kanal
- Leistung (max) P(TOT)
2.0 W
- R(DS)(on)
0.17 Ω
- Montageart
Oberflächenmontage
- Kanäle
2
- Inhalt
1 St.
- UKCA
Ja
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 3026246 Infineon Technologies IRF7342PBF-GURT MOSFET 2 P-Kanal 2.0 W SO-8
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 3026246 Infineon Technologies IRF7342PBF-GURT MOSFET 2 P-Kanal 2.0 W SO-8
Beschreibung
Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -55V; -3,4A; 2W; SO8 IRF7342TRPBF Multikanaltransistoren