Abbildung ähnlich
Abbildung ähnlich
Diotec Transistor (BJT) - diskret MMBT5551 SOT-23 NPN
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
Gehäuse
SOT-23
Ausführung
NPN
Collector-Strom I(C)
600 mA
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
160 V
Datenblatt (PDF)
939 Stück
Neu
Rechnungsstellung für alle Partner-Artikel jetzt direkt durch ConradMenge (Stück)
Ersparnis
Verpackungspreis (zzgl. MwSt.)
100
-
0,03025 €
300
9% = 0,00 €
0,02750 €
500
12% = 0,00 €
0,02658 €
1000
15% = 0,00 €
0,02566 €
Mengenrabatte variieren je nach Verkäufer
Sie sparen 0,00 €
Anzahl
Min.: 100
Gesamt (0,03025 € / Stück)
3,03 €
zzgl. MwSt.
& Kostenfreier Versand mit
14 Tage Rückgaberecht inklusive (30 Tage mit)
Highlights & Details
BJT, SOT-23, 160V, 600mA, NPN
Unser Service für Sie
Technische Daten
- Typ: SMD
- Gehäuse: SOT-23
- Kollektor Emitter Spannung - VCEO: 160 V
- DC Kollektorstrom - IC: 600 mA
- Polarität - pol: NPN
- Sperrschicht Temperatur - Tjmax: 150 °C
- Verlustleistung - Ptot: 0.250 W
- Kollektor Basis Stromverhältnis - hfe: 250
- VCE: 5 V
- IC: 10 mA
- Kollektor Sättigungsspannung - VCEsat: 200 mV
- IC: 50 mA
- IB: 5 mA
- Transitfrequenz - ft: 300 MHz
- IC: 10 mA
- VCE: 10 V
- f: 100 MHz
- Typ
MMBT5551
- Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
- Gehäuse
SOT-23
- Hersteller
Diotec
- Ausführung
NPN
- Collector-Strom I(C)
600 mA
- Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
160 V
- VCE Sättigung (max.)
200 mV
- Leistung (max) P(TOT)
0.25 W
- DC Stromverstärkung (hFE)
250
- Transitfrequenz f(T)
100 MHz
- Montageart
Oberflächenmontage
- RoHS-konform
Ja
- Inhalt
1 St.
- Betriebstemperatur (max.)
150 °C
- UKCA
Ja
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 2810129 Diotec Transistor (BJT) - diskret MMBT5551 SOT-23 NPN
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 2810129 Diotec Transistor (BJT) - diskret MMBT5551 SOT-23 NPN
Beschreibung
Bipolarer Transistor, Typ=MMBT5551, Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vbe(sat))=1 V, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Emitter-Basis-Spannung (Vebo)=6 V, Gleichstromverstärkung (hFE)=250, Kollektor-Basis-Spannung (Vcbo)=-999, Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo)=180 V, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vce(sat))=200 mV, Kontinuierlicher Kollektor-Strom (Ic)=600 mA, Leistungsverteilung (PV)=200 mW, Pins=3, Reflow Löttemperatur max=260 °C, Übergangsfrequenz=300 MHz, Bauform=SOT-23, Konfiguration=Einfach, MSL=Stufe-1, Montageart=SMT, Transistor-Polarität=NPN, Verpackung=Band & Rolle, Qualifizierungsstandard Automobilindustrie=AEC-Q101