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Diotec Transistor (BJT) - diskret BFS20 SOT-23 NPN
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
Gehäuse
SOT-23
Ausführung
NPN
Collector-Strom I(C)
25 mA
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
20 V
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Highlights & Details
BJT, SOT-23, 20V, 25mA, NPN
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Technische Daten
- Typ: SMD
- Gehäuse: SOT-23
- Kollektor Emitter Spannung - VCEO: 20 V
- DC Kollektorstrom - IC: 25 mA
- Polarität - pol: NPN
- Sperrschicht Temperatur - Tjmax: 150 °C
- Verlustleistung - Ptot: 0.200 W
- Kollektor Basis Stromverhältnis - hfe: 85
- VCE: 10 V
- IC: 7 mA
- Kollektor Sättigungsspannung - VCEsat: mV
- IC: mA
- IB: mA
- Transitfrequenz - ft: 450 MHz
- IC: 5 mA
- VCE: 10 V
- f: 100 MHz
- Typ
BFS20
- Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
- Gehäuse
SOT-23
- Hersteller
Diotec
- Ausführung
NPN
- Collector-Strom I(C)
25 mA
- Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
20 V
- Leistung (max) P(TOT)
0.2 W
- DC Stromverstärkung (hFE)
85
- Transitfrequenz f(T)
100 MHz
- Montageart
Oberflächenmontage
- RoHS-konform
Ja
- Inhalt
1 St.
- Betriebstemperatur (max.)
150 °C
- UKCA
Ja
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 2809328 Diotec Transistor (BJT) - diskret BFS20 SOT-23 NPN
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 2809328 Diotec Transistor (BJT) - diskret BFS20 SOT-23 NPN
Beschreibung
Bipolarer Transistor, Typ=BFS20, Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vbe(sat))=-999, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Emitter-Basis-Spannung (Vebo)=4 V, Gleichstromverstärkung (hFE)=-999, Kollektor-Basis-Spannung (Vcbo)=30 V, Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo)=20 V, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vce(sat))=-999, Kontinuierlicher Kollektor-Strom (Ic)=25 mA, Leistungsverteilung (PV)=200 mW, Pins=3, Reflow Löttemperatur max=-999, Übergangsfrequenz=450 MHz, Bauform=SOT-23, Konfiguration=Einfach, Montageart=SMT, Transistor-Polarität=NPN