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Diotec Transistor (BJT) - diskret 2SC2983 TO-252AA NPN
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Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
Gehäuse
TO-252AA
Ausführung
NPN
Collector-Strom I(C)
1500 mA
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
160 V
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Highlights & Details
BJT, DPAK, 160V, 1500mA, NPN
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Technische Daten
- Typ: SMD
- Gehäuse: TO-252AA/D-PAK
- Kollektor Emitter Spannung - VCEO: 160 V
- DC Kollektorstrom - IC: 1500 mA
- Polarität - pol: NPN
- Sperrschicht Temperatur - Tjmax: 150 °C
- Verlustleistung - Ptot: 15.000 W
- Kollektor Basis Stromverhältnis - hfe: 150
- VCE: 5 V
- IC: 100 mA
- Kollektor Sättigungsspannung - VCEsat: 1500 mV
- IC: 500 mA
- IB: 50 mA
- Transitfrequenz - ft: 100 MHz
- IC: 100 mA
- VCE: 10 V
- f: MHz
- Typ
2SC2983
- Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
- Gehäuse
TO-252AA
- Hersteller
Diotec
- Ausführung
NPN
- Collector-Strom I(C)
1500 mA
- Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
160 V
- VCE Sättigung (max.)
1500 mV
- Leistung (max) P(TOT)
15 W
- DC Stromverstärkung (hFE)
150
- Montageart
Oberflächenmontage
- RoHS-konform
Ja
- Inhalt
1 St.
- Betriebstemperatur (max.)
150 °C
- UKCA
Ja
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 2809008 Diotec Transistor (BJT) - diskret 2SC2983 TO-252AA NPN
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 2809008 Diotec Transistor (BJT) - diskret 2SC2983 TO-252AA NPN
Beschreibung
Bipolarer Transistor, Typ=2SC2983, Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vbe(sat))=-999, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-999, Emitter-Basis-Spannung (Vebo)=5 V, Gleichstromverstärkung (hFE)=240, Kollektor-Basis-Spannung (Vcbo)=160 V, Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo)=160 V, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vce(sat))=1.5 V, Kontinuierlicher Kollektor-Strom (Ic)=1.5 A, Leistungsverteilung (PV)=-999, Pins=4, Reflow Löttemperatur max=260 °C, Übergangsfrequenz=100 MHz, Bauform=TO-252AA, Konfiguration=Einfach, MSL=Stufe-1, Montageart=SMT, Transistor-Polarität=NPN, Verpackung=Band & Rolle