BU2532AW TO-247 TRANSISTOR NPN THT NXP
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Bestell-Nr.:
Verpackungsart
Tube
Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
Gehäuse
TO-247
Ausführung
NPN
Collector-Strom I(C)
16 A
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1383 Stück
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Highlights & Details
- TRANSISTOR NPN
- RoHS konform: Ja
- Herstellerverpackungseinheit: 25 Stück
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Technische Daten
- Details: Silicon Diffused Power TransistorKollektor-Emitter-Spannung: 800 VKollektor-Emitter-Spannung Höchstwert: 1500 VKollektorstrom: 16 ASpitzenkollektorstrom: 40 AVerlustleistung @ Tamb
- Verpackungsart
Tube
- Typ
BU2532AW
- Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
- Gehäuse
TO-247
- Hersteller
NXP Semiconductors
- Ausführung
NPN
- Collector-Strom I(C)
16 A
- Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
800 V
- Leistung (max) P(TOT)
125 W
- Montageart
Durchsteckmontage
- RoHS-konform
Ja
- Inhalt
1 St.
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Datenblatt
Datenblatt 844032160 BU2532AW TO-247 TRANSISTOR NPN THT NXP
Beschreibung
Details: Silicon Diffused Power Transistor
Kollektor-Emitter-Spannung: 800 V
Kollektor-Emitter-Spannung Höchstwert: 1500 V
Kollektorstrom: 16 A
Spitzenkollektorstrom: 40 A
Verlustleistung @ Tamb Betriebstemperatur: 150 °C