BFS19 SOT23 TRANSISTOR NPN SMT Philips Semiconductor
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Verpackungsart
Tape and Reel
Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
Gehäuse
SOT-23
Ausführung
NPN
Collector-Strom I(C)
30 mA
Datenblatt (PDF)
2600 Stück
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Highlights & Details
- TRANSISTOR NPN
- RoHS konform: Ja
- Herstellerverpackungseinheit: 3000 Stück
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Technische Daten
- Hersteller: Philips SemiconductorKollektor-Base-Spannung: 30 VKollektor-Emitter-Spannung: 20 VKollektor-Emitter-Spannung: 20 VEmitter-Base-Spannung: 5 VKollektorstrom: 30 mASpitzenkollektorstrom: 30 mAVerlustleistung @ Tamb <= 25 °C: 250 mWKlassifikation: 65 - 225
- Verpackungsart
Tape and Reel
- Typ
BFS19
- Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
- Gehäuse
SOT-23
- Hersteller
NXP Semiconductors
- Ausführung
NPN
- Collector-Strom I(C)
30 mA
- Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
20 V
- Leistung (max) P(TOT)
250 mW
- Montageart
Oberflächenmontage
- RoHS-konform
Ja
- Inhalt
1 St.
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Datenblatt
Datenblatt 927432080 BFS19 SOT23 TRANSISTOR NPN SMT Philips Semiconductor
Beschreibung
Hersteller: Philips Semiconductor
Kollektor-Base-Spannung: 30 V
Kollektor-Emitter-Spannung: 20 V
Kollektor-Emitter-Spannung: 20 V
Emitter-Base-Spannung: 5 V
Kollektorstrom: 30 mA
Spitzenkollektorstrom: 30 mA
Verlustleistung @ Tamb <= 25 °C: 250 mW
Klassifikation: 65 - 225