BC859C SOT23 TRANSISTOR PNP SMT Philips Semiconductor

Verpackungsart

Tape and Reel

Produkt-Art

Transistor (BJT) - diskret

Gehäuse

SOT-23

Ausführung

PNP

Collector-Strom I(C)

-100 mA

Datenblatt (PDF)

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Highlights & Details

TRANSISTOR PNP
RoHS konform: Ja
Herstellerverpackungseinheit: 3000 Stück

Unser Service für Sie

Technische Daten

Hersteller: Philips SemiconductorKollektor-Base-Spannung: -30 VKollektor-Emitter-Spannung: -30 VKollektor-Emitter-Spannung: -30 VEmitter-Base-Spannung: -5 VKollektorstrom: -100 mASpitzenkollektorstrom: -200 mAVerlustleistung @ Tamb <= 25 °C: 250 mWBetriebstemperatur: -65 - 150 °CKlassifikation: 420 - 800

Verpackungsart: Tape and Reel

Typ: BC859C

Produkt-Art: Transistor (BJT) - diskret

Gehäuse: SOT-23

Hersteller: NXP Semiconductors

Herst.-Abk.: NXP

Ausführung: PNP

Collector-Strom I(C): -100 mA

Kollektor-Emitterspannung U(CEO): -30 V

Leistung (max) P(TOT): 250 mW

Montageart: Oberflächenmontage

RoHS-konform: Ja

Inhalt: 100 St.

Dokumente & Downloads

Datenblatt

Datenblatt 927084091 BC859C SOT23 TRANSISTOR PNP SMT Philips Semiconductor | Set 100 Stück

Beschreibung

Hersteller: Philips Semiconductor
Kollektor-Base-Spannung: -30 V
Kollektor-Emitter-Spannung: -30 V
Kollektor-Emitter-Spannung: -30 V
Emitter-Base-Spannung: -5 V
Kollektorstrom: -100 mA
Spitzenkollektorstrom: -200 mA
Verlustleistung @ Tamb <= 25 °C: 250 mW
Betriebstemperatur: -65 - 150 °C
Klassifikation: 420 - 800