2SA1941 TO-3P TRANSISTOR PNP THT Toshiba Electronics
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Verpackungsart
Tube
Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
Gehäuse
TO-3P
Ausführung
PNP
Collector-Strom I(C)
-10 A
Datenblatt (PDF)
575 Stück
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Highlights & Details
- TRANSISTOR PNP
- RoHS konform: Ja
- Herstellerverpackungseinheit: 100 Stück
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Technische Daten
- Kollektor-Base-Spannung: -140 VKollektor-Emitter-Spannung: -140 VErmitter-Base-Spannung: -5 VIC max. Kollektorstrom: -10 AVerlustleistung @ Tc = 25 °C: 100 WBetriebstemperatur: -55 - 150 °CKlassifikation: O
- Verpackungsart
Tube
- Typ
2SA1941 Transistor
Type Designator: 2SA1941 M
- Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
- Gehäuse
TO-3P
- Hersteller
Toshiba
- Ausführung
PNP
- Collector-Strom I(C)
-10 A
- Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
-140 V
- Leistung (max) P(TOT)
100 W
- Montageart
Durchsteckmontage
- RoHS-konform
Ja
- Inhalt
1 St.
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Datenblatt
Datenblatt 844026744 2SA1941 TO-3P TRANSISTOR PNP THT Toshiba Electronics
Beschreibung
Kollektor-Base-Spannung: -140 V
Kollektor-Emitter-Spannung: -140 V
Ermitter-Base-Spannung: -5 V
IC max. Kollektorstrom: -10 A
Verlustleistung @ Tc = 25 °C: 100 W
Betriebstemperatur: -55 - 150 °C
Klassifikation: O