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- MOSFET844IGBT2MOSFET/IGBT-Set1Transistor - JFET1
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- Infineon Technologies368Vishay152Taiwan Semiconductor94STMicroelectronics81ON Semiconductor56Toshiba26DIODES Incorporated12Fuji Electronique8Diotec7NEC7Unisonic Technologies7Hottech Semiconductor3IXYS3MCC3Renesas3Belimo2Hitachi2Sanyo2Siemens2Brinkmann & Wecker Werkzeugtechnik1CDIL1Fairchild Semiconductor1Helios Ventilatoren1ifm Electronic1International Rectifier1ITT Semiconductor1Jungheinrich1Kemo1Kerkmann1Littelfuse1LRC1Mepatronik1NXP Semiconductors1Papstar1RFT1SHINDENGEN1
- Leistung (max) P(TOT)
- 100 mW1150 mW1200 mW2225 mW4250 mW2300 mW3350 mW70.35 W20.36 W7360 mW7400 mW30.5 W1500 mW1540 mW2700 mW1710 mW1800 mW10.83 W2830 mW2900 mW11 W21.0 W11.1 W11.25 W51.3 W121.4 W41.5 W21.6 W11.7 W31.78 W11.8 W101.9 W12.0 W162 W62.1 W52.3 W12.4 W12.5 W212.8 W13 W23.1 W63.75 W13.8 W54.2 W25 W75.7 W26 W36.3 W16.6 W17.8 W120 W325 W1129 W130 W531 W232 W134 W335 W436 W238 W340 W1441 W141.7 W142 W943 W544 W145 W1648 W850 W1051 W254 W360 W763 W166 W368 W970 W571 W374 W1075 W978 W179 W680 W682 W383 W488 W390 W691 W192 W194 W395 W298 W199 W3100 W8101 W1107 W2110 W29115 W2120 W5123 W1125 W30128 W1130 W10131 W1135 W2140 W18143 W2144 W5150 W22151 W4156 W1160 W11170 W9176 W3178 W1180 W4190 W13200 W17208 W4214 W2220 W1227 W1230 W20231 W1235 W1245 W1250 W4277 W1278 W2280 W8290 W1294 W4298 W1300 W15310 W4312 W1312.5 W1320 W2330 W4333 W1340 W1341 W4350 W3360 W1370 W8375 W16380 W6390 W1391 W1460 W1470 W1481 W2517 W1520 W1580 W1595 W11040 W1
- R(DS)(on) Referenz-Strom
- -130 mA2-3 A2-0.2 A1-11 A1-12 A1-14 A1-19 A1-23 A1-3.5 A1-31 A1-4 A1-4.1 A1-5 A1-6.5 A1-6.8 A1-7 A1-74 A1-8 A10.1 mA110 mA414 mA120 mA130 mA155 mA10.1 A1115 mA1120 mA1170 mA3190 mA1200 mA4220 mA2330 mA1340 mA1400 mA10.416666666666667 A1500 mA6660 mA1910 mA1930 mA11 A11.2 A21.25 A11.4 A11.5 A31.6 A11.9 A22 A42.1 A12.2 A22.3 A12.4 A32.5 A32.6 A12.7 A22.75 A12.8 A22.9 A23 A33.1 A23.3 A13.4 A23.5 A43.6 A33.7 A24 A54.1 A24.2 A14.3 A24.5 A34.8 A35 A105.2 A15.4 A25.5 A45.7 A15.8 A16 A56.2 A16.3 A16.6 A37.2 A37.5 A18 A28.4 A58.5 A18.6 A19 A89.2 A19.3 A19.5 A19.6 A19.7 A110 A1410.3 A111 A812 A813 A413.5 A114 A215 A316 A917 A418 A620 A221 A122 A323 A323.5 A124 A325 A425.5 A126 A127 A128 A429 A130 A631 A132 A133 A435 A438 A240 A541 A142 A244 A245 A346 A347 A149 A250 A352 A153 A156 A157 A158 A159 A160 A262 A264 A165 A166 A170 A275 A1676 A178 A1100 A9101 A1110 A2121 A1125 A1165 A1170 A1180 A1195 A2
- U(DSS)
- -100 V7-50 V6-200 V5-250 V3-30 V3-60 V3-55 V2-160 V1-18 V112 V120 V1624 V125 V330 V1840 V1250 V755 V2960 V5365 V175 V7100 V49150 V8200 V36250 V9300 V3400 V13450 V1500 V35600 V31800 V9900 V31000 V51500 V1
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Mosfets
857 ErgebnisseDetails | Preis | Verfügbarkeit | Gehäuse | U(GS)(th) max. | C(ISS) | R(DS)(on) Referenz-Strom | R(DS)(on) | Leistung (max) P(TOT) | Montageart | U(DSS) | Ausführung | Verpackungsart | Zertifizierungen | |
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 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRLZ44NPBF MOSFET 1 HEXFET 110 W TO-220Conrad Electronic zzgl. MwSt. 4148 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 3 | TO-220 | 2 V | 1700 pF | 25 A | 22 mΩ | 110 W | Durchführungsloch | 55 V | HEXFET | - | - | |||
 Abb. ähnlich ON Semiconductor 2N7000 MOSFET 1 N-Kanal 400 mW TO-92Conrad Electronic zzgl. MwSt. 7463 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 7 | TO-92 | 3 V | 50 pF | 500 mA | 5 Ω | 400 mW | Durchführungsloch | 60 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich ON Semiconductor BS170 MOSFET 1 N-Kanal 350 mW TO-92Conrad Electronic zzgl. MwSt. 2710 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 15 | TO-92 | 3 V | 60 pF | 200 mA | 5 Ω | 350 mW | Durchführungsloch | 60 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich STMicroelectronics VNP35N07-E MOSFET 1 N-Kanal 125 W TO-220Conrad Electronic zzgl. MwSt. 8 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-220 | - | - | - | 0.035 Ω | 125 W | Durchführungsloch | - | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRF4905PBF MOSFET 1 P-Kanal 200 W TO-220Conrad Electronic zzgl. MwSt. 301 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-220 | 4 V | 3400 pF | 38 A | 20 mΩ | 200 W | Durchführungsloch | 55 V | P-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRF3205 MOSFET 1 N-Kanal 200 W TO-220ABConrad Electronic zzgl. MwSt. 220 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-220AB | 4 V | 3247 pF | 62 A | 8 mΩ | 200 W | Oberflächenmontage | 55 V | N-Kanal | - | - | |||
![Kemo Power MOSFET & IGBT Transistoren [S106] MOSFET/IGBT-Set](https://asset.conrad.com/media10/isa/160267/c1/-/de/1484608_GB_00_FB/kemo-power-mosfet-igbt-transistoren-s106-mosfet-igbt-set.jpg?x=600) Abb. ähnlich Kemo Power MOSFET & IGBT Transistoren [S106] MOSFET/IGBT-SetConrad Electronic zzgl. MwSt. 77 Sets auf Lager Sofort-Lieferung morgen | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | |||
 Abb. ähnlich ON Semiconductor 2N7000TA MOSFET 1 N-Kanal 400 mW TO-92-3Conrad Electronic -45% 0,13 € 0,07143 € zzgl. MwSt. 1642 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-92-3 | 3 V | 50 pF | 500 mA | 5 Ω | 400 mW | Durchführungsloch | 60 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRFB4110PBF MOSFET 1 N-Kanal 370 W TO-220ABConrad Electronic zzgl. MwSt. 84 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-220AB | 4 V | 9620 pF | 75 A | 4.5 mΩ | 370 W | Durchführungsloch | 100 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRLZ34NPBF MOSFET 1 HEXFET 68 W TO-220Conrad Electronic zzgl. MwSt. 1253 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 3 | TO-220 | 2 V | 880 pF | 16 A | 35 mΩ | 68 W | Durchführungsloch | 55 V | HEXFET | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies 2N7002DWH6327XTSA1 MOSFET Tape on Full reelConrad Electronic zzgl. MwSt. 920 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 20 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Tape on Full reel | - | |||
 Abb. ähnlich MCC SI5618A-TP MOSFET FET Tape on Full reelConrad Electronic -62% 0,14 € 0,05301 € zzgl. MwSt. 2000 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | - | - | - | - | - | - | - | - | FET | Tape on Full reel | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies BSS138 MOSFET 1 N-Kanal 360 mW SOT-23Conrad Electronic zzgl. MwSt. 1202 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 20 | SOT-23 | 1.5 V | 27 pF | 220 mA | 3.5 Ω | 360 mW | Oberflächenmontage | 50 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRLML6244TRPBF MOSFET 1 N-Kanal 1.3 W SOT-23Conrad Electronic zzgl. MwSt. 671 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 10 | SOT-23 | 1.1 V | 700 pF | 6.3 A | 21 mΩ | 1.3 W | Oberflächenmontage | 20 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRLML6344TRPBF MOSFET 1 N-Kanal 1.3 W SOT-23Conrad Electronic zzgl. MwSt. 481 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 10 | SOT-23 | 1.1 V | 650 pF | 5 A | 29 mΩ | 1.3 W | Oberflächenmontage | 30 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Vishay SI2319CDS-T1-GE3 MOSFET Tape on Full reelConrad Electronic -64% 0,33 € 0,12006 € zzgl. MwSt. 2270 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Tape on Full reel | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRF1405PBF MOSFET 1 N-Kanal 330 W TO-220Conrad Electronic zzgl. MwSt. 557 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-220 | 4 V | 5480 pF | 101 A | 5.3 mΩ | 330 W | Durchführungsloch | 55 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRFZ48NPBF MOSFET 1 N-Kanal 130 W TO-220Conrad Electronic zzgl. MwSt. 89 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 3 | TO-220 | 4 V | 1970 pF | 32 A | 14 mΩ | 130 W | Durchführungsloch | 55 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich ON Semiconductor 2N7002K MOSFET 1 N-Kanal 350 mW SOT-23-3Conrad Electronic zzgl. MwSt. 439 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 10 | SOT-23-3 | 2.5 V | 50 pF | 500 mA | 2 Ω | 350 mW | Oberflächenmontage | 60 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich ON Semiconductor BUZ11-NR4941 MOSFET 1 N-Kanal 75 W TO-220-3Conrad Electronic -62% 1,08 € 0,41 € zzgl. MwSt. 310 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-220-3 | 4 V | 2000 pF | 15 A | 40 mΩ | 75 W | Durchführungsloch | 50 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRF9Z34N MOSFET 1 P-Kanal 3.8 W TO-220Conrad Electronic zzgl. MwSt. 825 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 5 | TO-220 | 4 V | 620 pF | 10 A | 100 mΩ | 3.8 W | Oberflächenmontage | 55 V | P-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRFB3077PBF MOSFET 1 N-Kanal 370 W TO-220ABConrad Electronic zzgl. MwSt. 165 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-220AB | 4 V | 9400 pF | 75 A | 3.3 mΩ | 370 W | Durchführungsloch | 75 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich ON Semiconductor FQP27P06 MOSFET 1 P-Kanal 120 W TO-220-3Conrad Electronic zzgl. MwSt. 145 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-220-3 | 4 V | 1400 pF | 13.5 A | 70 mΩ | 120 W | Durchführungsloch | 60 V | P-Kanal | - | - | |||
Infineon Technologies IRL6372PBF-GURT MOSFET 2 N-Kanal 2.0 W SO-8Conrad Electronic -31% zzgl. MwSt. 9 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 3 | SO-8 | - | - | - | 0.023 Ω | 2.0 W | Oberflächenmontage | - | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRF9540NPBF MOSFET 1 P-Kanal 140 W TO-220Conrad Electronic zzgl. MwSt. 67 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 2 | TO-220 | 4 V | 1300 pF | 11 A | 117 mΩ | 140 W | Durchführungsloch | 100 V | P-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich ON Semiconductor BS170_D75Z MOSFET 1 N-Kanal 830 mW TO-92-3Conrad Electronic zzgl. MwSt. 7308 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 10 | TO-92-3 | 3 V | 40 pF | 200 mA | 5 Ω | 830 mW | Durchführungsloch | 60 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRLML2244TRPBF MOSFET 1 P-Kanal 1.3 W SOT-23Conrad Electronic zzgl. MwSt. 3374 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 15 | SOT-23 | 1.1 V | 570 pF | 4.3 A | 54 mΩ | 1.3 W | Oberflächenmontage | 20 V | P-Kanal | - | - | |||
Infineon Technologies BSS131 MOSFET 1 N-Kanal 0.36 W SOT-23Conrad Electronic zzgl. MwSt. 88000 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Do., 24. Sep. Min: 100Vielfache: 100 | SOT-23 | - | - | - | 20 Ω | 0.36 W | Oberflächenmontage | - | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRL540NPBF MOSFET 1 N-Kanal 140 W TO-220Conrad Electronic zzgl. MwSt. 389 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-220 | 2 V | 1800 pF | 18 A | 44 mΩ | 140 W | Durchführungsloch | 100 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRFP4468PBF MOSFET 1 N-Kanal 520 W TO-247ACConrad Electronic zzgl. MwSt. 15 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-247AC | 4 V | 19860 pF | 180 A | 2.6 mΩ | 520 W | Durchführungsloch | 100 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich ON Semiconductor NTR4101PT1G MOSFET Tape on Full reelConrad Electronic -64% 0,11 € 0,03976 € zzgl. MwSt. 2880 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Tape on Full reel | - | |||
 Abb. ähnlich Vishay IRFP460PBF MOSFET 1 N-Kanal 280 W TO-247Conrad Electronic zzgl. MwSt. 232 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-247 | 4 V | 4200 pF | 12 A | 270 mΩ | 280 W | Durchführungsloch | 500 V | N-Kanal | - | - | |||
Infineon Technologies IRF9530NSPBF-GURT MOSFET 1 P-Kanal 79 W D2PAKConrad Electronic zzgl. MwSt. 25 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | D2PAK | - | - | - | 0.2 Ω | 79 W | Oberflächenmontage | - | P-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRF520NPBF MOSFET 1 N-Kanal 48 W TO-220Conrad Electronic zzgl. MwSt. 2598 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 3 | TO-220 | 4 V | 330 pF | 5.7 A | 200 mΩ | 48 W | Durchführungsloch | 100 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich ON Semiconductor BSS123 MOSFET 1 N-Kanal 360 mW SOT-23-3Conrad Electronic -56% 0,07 € 0,03061 € zzgl. MwSt. 12152 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | SOT-23-3 | 2 V | 73 pF | 170 mA | 6 Ω | 360 mW | Oberflächenmontage | 100 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRLML6402TRPBF MOSFET 1 P-Kanal 1.3 W SOT-23Conrad Electronic zzgl. MwSt. 1307 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 20 | SOT-23 | 1.2 V | 633 pF | 3.7 A | 65 mΩ | 1.3 W | Oberflächenmontage | 20 V | P-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich ON Semiconductor 2N7002LT1G MOSFET Tape on Full reelConrad Electronic -61% 0,04 € 0,01557 € zzgl. MwSt. 2790 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Tape on Full reel | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRF9530NPBF MOSFET 1 P-Kanal 79 W TO-220Conrad Electronic zzgl. MwSt. 85 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 3 | TO-220 | 4 V | 760 pF | 8.4 A | 200 mΩ | 79 W | Durchführungsloch | 100 V | P-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRF530NPBF MOSFET 1 N-Kanal 70 W TO-220AB TubeMEPATRONIK Elektronische Bauelemente Vertriebs GmbH zzgl. MwSt. 1350 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Do., 24. Sep. Min: 10 | TO-220AB | 20 V | 920 pF | 17 A | 0.09 Ω | 70 W | Durchführungsloch | 100 V | N-Kanal | Tube | RoHS | |||
 Abb. ähnlich Vishay IRF620PBF MOSFET 1 N-Kanal 50 W TO-220Conrad Electronic zzgl. MwSt. 100 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 3 | TO-220 | 4 V | 260 pF | 3.1 A | 800 mΩ | 50 W | Durchführungsloch | 200 V | N-Kanal | - | - | |||
zzgl. MwSt. 34 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-252AA | - | - | - | 0.48 Ω | 40 W | Durchführungsloch | - | P-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRLU024NPBF MOSFET 1 N-Kanal 45 W TO-251-3Conrad Electronic zzgl. MwSt. 15 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 3 | TO-251-3 | 2 V | 480 pF | 10 A | 65 mΩ | 45 W | Durchführungsloch | 55 V | N-Kanal | - | - | |||
zzgl. MwSt. 56 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 3 | TO-252AA | - | - | - | 0.065 Ω | 110 W | Durchführungsloch | - | P-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRFP260NPBF MOSFET 1 N-Kanal 300 W TO-247-3Conrad Electronic zzgl. MwSt. 153 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-247-3 | 4 V | 4057 pF | 28 A | 40 mΩ | 300 W | Durchführungsloch | 200 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRLML6346TRPBF MOSFET 1 N-Kanal 1.3 W SOT-23Conrad Electronic zzgl. MwSt. 2318 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 10 | SOT-23 | 1.1 V | 270 pF | 3.4 A | 63 mΩ | 1.3 W | Oberflächenmontage | 30 V | N-Kanal | - | - | |||
 Taiwan Semiconductor TSM2323CX RFG MOSFET SOT-23 Tape on Full reelConrad Electronic zzgl. MwSt. 20 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 5 | SOT-23 | - | - | - | - | - | Leiterplattenmontage | - | - | Tape on Full reel | RoHS | |||
 Abb. ähnlich Vishay IRF540PBF MOSFET 1 N-Kanal 150 W TO-220ABConrad Electronic zzgl. MwSt. 238 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 2 | TO-220AB | 4 V | 1700 pF | 17 A | 77 mΩ | 150 W | Durchführungsloch | 100 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRFP3710PBF MOSFET 1 N-Kanal 200 W TO-247-3Conrad Electronic zzgl. MwSt. 98 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-247-3 | 4 V | 3000 pF | 28 A | 25 mΩ | 200 W | Durchführungsloch | 100 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRFB3006PBF MOSFET 1 N-Kanal 375 W TO-220ABConrad Electronic zzgl. MwSt. 76 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-220AB | 4 V | 8970 pF | 170 A | 2.5 mΩ | 375 W | Durchführungsloch | 60 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Vishay SI2302CDS-T1-GE3 MOSFET 1 N-Kanal 710 mW SOT-23-3Conrad Electronic -67% 0,30 € 0,10 € zzgl. MwSt. 2564 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | SOT-23-3 | 0.85 V | - | 3.6 A | 57 mΩ | 710 mW | Oberflächenmontage | 20 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Vishay IRFB9N60APBF MOSFET 1 N-Kanal 170 W TO-220Conrad Electronic -54% 2,34 € 1,08 € zzgl. MwSt. 88 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-220 | 4 V | 1400 pF | 5.5 A | 750 mΩ | 170 W | Durchführungsloch | 600 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRFP064NPBF MOSFET 1 N-Kanal 200 W TO-247Conrad Electronic zzgl. MwSt. 122 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-247 | 4 V | 4000 pF | 59 A | 8 mΩ | 200 W | Durchführungsloch | 55 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRF3205PBF MOSFET 1 N-Kanal 200 W TO-220AB TubeMEPATRONIK Elektronische Bauelemente Vertriebs GmbH zzgl. MwSt. 5335 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Do., 24. Sep. Min: 10 | TO-220AB | 20 V | 3247 pF | 110 A | 0.008 Ω | 200 W | Durchführungsloch | 55 V | N-Kanal | Tube | RoHS | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRF1324PBF MOSFET 1 N-Kanal 300 W TO-220ABConrad Electronic -29% zzgl. MwSt. 193 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-220AB | 4 V | 7590 pF | 195 A | 1.5 mΩ | 300 W | Durchführungsloch | 24 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRF1010E MOSFET 1 N-Kanal 200 W TO-220Conrad Electronic zzgl. MwSt. 415 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 3 | TO-220 | 4 V | 3210 pF | 50 A | 12 mΩ | 200 W | Durchführungsloch | 60 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRFB3207ZPBF MOSFET 1 N-Kanal 300 W TO-220ABConrad Electronic zzgl. MwSt. 13 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-220AB | 4 V | 6920 pF | 75 A | 4.1 mΩ | 300 W | Durchführungsloch | 75 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich DIODES Incorporated 2N7002K-7 MOSFET Tape on Full reelConrad Electronic -65% 0,03 € 0,01058 € zzgl. MwSt. 2650 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Tape on Full reel | - | |||
 Abb. ähnlich Vishay SI2309CDS-T1-E3 MOSFET Tape on Full reelConrad Electronic -64% 0,29 € 0,10422 € zzgl. MwSt. 2960 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Tape on Full reel | - | |||
 Abb. ähnlich Vishay IRFBG30PBF MOSFET 1 N-Kanal 125 W TO-220Conrad Electronic -33% zzgl. MwSt. 124 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-220 | 4 V | 980 pF | 1.9 A | 5 Ω | 125 W | Durchführungsloch | 1000 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRFB7437PBF MOSFET 1 N-Kanal 230 W TO-220Conrad Electronic zzgl. MwSt. 90 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-220 | 3.9 V | 7330 pF | 100 A | 2 mΩ | 230 W | Durchführungsloch | 40 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich STMicroelectronics STP4NK60Z MOSFET 1 N-Kanal 70 W TO-220 TubeMEPATRONIK Elektronische Bauelemente Vertriebs GmbH zzgl. MwSt. 350 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Do., 24. Sep. Min: 10 | TO-220 | 30 V | 510 pF | 4 A | 2 Ω | 70 W | Durchführungsloch | 600 V | N-Kanal | Tube | RoHS | |||
 Abb. ähnlich DIODES Incorporated DMN6140L-7 MOSFET Tape on Full reelConrad Electronic -62% 0,10 € 0,03843 € zzgl. MwSt. 2950 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Tape on Full reel | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRFZ44NPBF MOSFET 1 N-Kanal 94 W TO-220Conrad Electronic zzgl. MwSt. 840 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 2 | TO-220 | 4 V | 1470 pF | 25 A | 17.5 mΩ | 94 W | Durchführungsloch | 55 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Vishay IRFP064PBF MOSFET 1 N-Kanal 300 W TO-247ACConrad Electronic zzgl. MwSt. 13 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-247AC | 4 V | 7400 pF | 78 A | 9 mΩ | 300 W | Durchführungsloch | 60 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IPP60R160C6 MOSFET 1 N-Kanal 176 W TO-220Conrad Electronic zzgl. MwSt. 62 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Do., 24. Sep. | TO-220 | - | - | - | 0.16 Ω | 176 W | Durchführungsloch | - | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRFB3806PBF MOSFET 1 N-Kanal 71 W TO-220ABConrad Electronic zzgl. MwSt. 270 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Do., 24. Sep. Min: 10Vielfache: 10 | TO-220AB | 4 V | 1150 pF | 25 A | 15.8 mΩ | 71 W | Durchführungsloch | 60 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies BSS123NH6327XTSA1 MOSFET Tape on Full reelConrad Electronic zzgl. MwSt. 2880 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 20 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Tape on Full reel | - | |||
STMicroelectronics STB13N60M2 MOSFET 1 N-Kanal 110 W D2PAKConrad Electronic zzgl. MwSt. 925 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Do., 24. Sep. Min: 5Vielfache: 5 | D2PAK | - | - | - | 0.38 Ω | 110 W | Oberflächenmontage | - | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich ON Semiconductor FCH072N60F MOSFET 1 N-Kanal 481 W TO-247-3Conrad Electronic zzgl. MwSt. 359 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Do., 24. Sep. | TO-247-3 | 5 V | 8660 pF | 26 A | 72 mΩ | 481 W | Durchführungsloch | 600 V | N-Kanal | - | - | |||
zzgl. MwSt. 24 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 3 | SOT-223 | - | - | - | 1.2 Ω | 3.1 W | Oberflächenmontage | - | P-Kanal | Tape on Full reel | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IPP65R095C7 MOSFET 1 N-Kanal 128 W TO-220Conrad Electronic zzgl. MwSt. 748 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Do., 24. Sep. | TO-220 | - | - | - | 0.095 Ω | 128 W | Durchführungsloch | - | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Vishay IRFP350PBF MOSFET 1 N-Kanal 190 W TO-247ACConrad Electronic zzgl. MwSt. 7 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-247AC | 4 V | 2600 pF | 9.6 A | 300 mΩ | 190 W | Durchführungsloch | 400 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies SPP20N60C3 MOSFET 1 N-Kanal 208 W TO-220Conrad Electronic zzgl. MwSt. 598 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Do., 24. Sep. | TO-220 | - | - | - | 0.19 Ω | 208 W | Durchführungsloch | - | N-Kanal | - | - | |||
 IRFP460PBF TO-247 N-CHANNEL POWER MOSFET THT VishayMEPATRONIK Elektronische Bauelemente Vertriebs GmbH zzgl. MwSt. 943 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Do., 24. Sep. Min: 3 | TO-247 | 20 V | 4200 pF | 20 A | 0.27 Ω | 280 W | Durchsteckmontage | 500 V | N-Kanal | Tube | RoHS | |||
 Abb. ähnlich ON Semiconductor BSS138 MOSFET 1 360 mW SOT-23-3Conrad Electronic zzgl. MwSt. 1183 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 10 | SOT-23-3 | - | 27 pF | 220 mA | 3.5 Ω | 360 mW | Oberflächenmontage | 50 V | - | - | - | |||
 Abb. ähnlich Diotec 2N7000 MOSFET 0.35 W TO-92Conrad Electronic zzgl. MwSt. 1743 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 100 | TO-92 | - | - | - | - | 0.35 W | Durchsteckmontage | 60 V | - | - | RoHS | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRF540NPBF MOSFET 1 N-Kanal 130 W TO-220Conrad Electronic zzgl. MwSt. 628 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-220 | 4 V | 1960 pF | 16 A | 44 mΩ | 130 W | Durchführungsloch | 100 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Vishay SI2301CDS-T1-GE3 MOSFET 1 P-Kanal 1.6 W SOT-23-3Conrad Electronic zzgl. MwSt. 144 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 10 | SOT-23-3 | 1 V | 405 pF | 2.8 A | 112 mΩ | 1.6 W | Oberflächenmontage | 20 V | P-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRFP250NPBF MOSFET 1 N-Kanal 214 W TO-247Conrad Electronic zzgl. MwSt. 151 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-247 | 4 V | 2159 pF | 18 A | 75 mΩ | 214 W | Durchführungsloch | 200 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich STMicroelectronics STE53NC50 MOSFET 1 N-Kanal 460 W SOT-227BConrad Electronic zzgl. MwSt. 9 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Do., 24. Sep. | SOT-227B | - | - | - | 0.08 Ω | 460 W | Chassis | - | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRLB3036PBF MOSFET 1 N-Kanal 380 W TO-220ABConrad Electronic zzgl. MwSt. 24 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-220AB | 2.5 V | 11210 pF | 165 A | 2.4 mΩ | 380 W | Durchführungsloch | 60 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Vishay IRFP460APBF MOSFET 1 N-Kanal 280 W TO-247Conrad Electronic zzgl. MwSt. 81 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-247 | 4 V | 3100 pF | 12 A | 270 mΩ | 280 W | Durchführungsloch | 500 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Vishay IRF740PBF MOSFET 1 N-Kanal 125 W TO-220Conrad Electronic zzgl. MwSt. 149 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-220 | 4 V | 1400 pF | 6 A | 550 mΩ | 125 W | Durchführungsloch | 400 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRLB3813PBF MOSFET 1 N-Kanal 230 W TO-220ABConrad Electronic zzgl. MwSt. 69 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-220AB | 2.35 V | 8420 pF | 60 A | 1.95 mΩ | 230 W | Durchführungsloch | 30 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich STMicroelectronics IRF630 MOSFET 1 N-Kanal 75 W TO-220ABConrad Electronic zzgl. MwSt. 13 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 3 | TO-220AB | 4 V | 700 pF | 4.5 A | 400 mΩ | 75 W | Durchführungsloch | 200 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies BSS214NWH6327XTSA1 MOSFET Tape on Full reelConrad Electronic -62% 0,09 € 0,03423 € zzgl. MwSt. 2362 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Tape on Full reel | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRFB3306PBF MOSFET 1 N-Kanal 230 W TO-220ABConrad Electronic zzgl. MwSt. 60 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-220AB | 4 V | 4520 pF | 75 A | 4.2 mΩ | 230 W | Durchführungsloch | 60 V | N-Kanal | - | - | |||
Infineon Technologies IRF3205SPBF-GURT MOSFET 1 N-Kanal 200 W D2PAKConrad Electronic zzgl. MwSt. 17 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | D2PAK | - | - | - | 0.008 Ω | 200 W | Oberflächenmontage | - | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRFB3206PBF MOSFET 1 N-Kanal 300 W TO-220ABConrad Electronic zzgl. MwSt. 182 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-220AB | 4 V | 6540 pF | 75 A | 3 mΩ | 300 W | Durchführungsloch | 60 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich ON Semiconductor FDC6561AN MOSFET 2 N-Kanal 700 mW SOT-23-6Conrad Electronic zzgl. MwSt. 59 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 5 | SOT-23-6 | 3 V | 220 pF | 2.5 A | 95 mΩ | 700 mW | Oberflächenmontage | 30 V | N-Kanal | - | - | |||
Ratgeber
Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren – kurz MOSFETs – sind die bei weitem häufigsten Transistoren in digitalen Schaltungen. Da sie sich enorm verkleinern lassen, finden sie sich in riesigen Mengen in Speicherchips oder Mikroprozessoren. So enthält beispielsweise ein moderner DDR4-Speicherriegel mit 128 Gigabyte Kapazität über 137 Milliarden Transistoren.
Erfahren Sie hier, wie MOSFETS aufgebaut sind, wie sie funktionieren und für welche Einsatzzwecke sie geeignet sind.
Ihre Fähigkeit, die Leitfähigkeit mit der Höhe der angelegten Spannung zu ändern, lässt sich zur Verstärkung oder zum Schalten von elektronischen Signalen nutzen.
Letztlich ist der unipolare MOSFET ein über die Spannung steuerbarer Widerstand. Im Vergleich zu einem Bipolartransistor benötigt er fast keinen Eingangsstrom zur Steuerung des Laststroms, einer der größten Vorteile dieses Bauelements.
Die Bezeichnung "Metall-Oxid-Halbleiter" beziehungsweise „metal-oxid-semiconductor“ (MOS) bezieht sich typischerweise auf ein Metall-Gate, eine Oxid-Isolation und einen Halbleiter, in der Regel Silizium.
Das Metall in MOSFET ist jedoch heutzutage oft irreführend, da das Gate-Material ebenso eine Schicht aus Polysilizium (polykristallines Silizium) sein kann.
Neben Oxid lassen sich auch verschiedene dielektrische Materialien verwenden, um effiziente Kanäle bei kleineren angelegten Spannungen zu erhalten. Der MOS-Kondensator ist ebenfalls ein Teil dieser Struktur.
MOSFETs sind entweder Teil integrierter MOS-Schaltkreis-Chips oder diskrete Bauteile. Möglich sind zudem Single-Gate- oder Multi-Gate-Ausführungen.
Da alle entweder dem p-Typ- oder dem n-Typ-Halbleitern entsprechen, lassen sich komplementäre Paare für Schaltkreise mit sehr geringem Stromverbrauch herstellen.
Produziert werden MOSFETs in zwei Varianten: als „normal leitend“ – der sogenannte Verarmungstyp – und als normal sperrend – der Anreicherungstyp.
Allen Typen gemeinsam sind die drei Anschlüsse „S“ für Source, „D“ für Drain“ und „G“ für Gate, im Deutschen entsprechend Quelle, Abfluss und Steueranschluss.
Ein MOSFET beruht auf der Steuerung der Ladungsträgerkonzentration über einen MOS-Kondensator zwischen den Substratelektroden und dem Gate. Das Gate befindet sich auf der Oberseite des Substrats und ist von allen anderen Bereichen des Bauelements durch eine dielektrische Schicht isoliert, zum Beispiel durch Siliziumdioxid. Werden andere dielektrische Materialien als Oxide verwendet, spricht man von einem Metall-Isolator-Halbleiter-Feldeffekttransistor, kurz MISFET. Eingebürgert hat sich außerdem die für alle Typen geltende Abkürzung IGFET für einen Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate.
Im Vergleich zum reinen MOS-Kondensator enthält der MOSFET die beiden zusätzlichen Anschlüsse Source und Drain, die jeweils mit hochdotierten Bereichen verbunden sind, getrennt durch den Substratbereich. Diese Bereiche können entweder vom p-Typ oder vom n-Typ sein. Source und Drain sind stark dotiert und werden in der Notation durch ein '+'-Zeichen hinter dem Dotierungstyp angegeben.
Wenn es sich bei dem IGFET um einen n-Kanal handelt, sind die Dotierungsbereiche für Source und Drain "n+"-Bereiche und das Substrat ist ein "p"-Typ-Bereich.
Beim p-Kanal sind die Dotierungsbereiche für Source und Drain "p+"-Bereiche und das Substrat ist ein "n"-Typ-Bereich. Der Source-Anschluss wird so genannt, weil er den Ursprung der Ladungsträger bildet, die durch den Kanal fließen. Analog dazu ist der Drain der Punkt, an dem die Ladungsträger den Kanal verlassen.
Beim Anlegen einer negativen Gate-Source-Spannung entsteht auf einer n-Typ-Substratoberfläche ein p-Typ-Kanal, analog zum n-Kanal, jedoch mit entgegengesetzten Polaritäten der Ladungen und Spannungen.
Ist die Spannung kleiner als die Schwellenspannung, verschwindet der Kanal und es kann nur ein kleiner Unterschwellenstrom zwischen Drain und Source fließen.
FAQ – häufig gestellte Fragen
In welchen Gehäuseformen und für welche Montagearten gibt es IGFETs?
Diese Bauteile gibt es sowohl mit Lötanschlüssen als auch für die SMD-Montage direkt auf der Platine. Einige Typen besitzen Durchführungslöcher für Schrauben und das Anbringen von Kühlkörpern.
Für welchen maximalen Temperaturbereich sind MOSFETs ausgelegt?
Gängige Maxima reichen von 125 bis zu 225 Grad Celsius.
Was ist der Unterschied zwischen einem Transistor und einem Feldeffekttransistor?
Letztlich gehören beide zur Gruppe der Transistoren und können als Schalter oder Verstärker eingesetzt werden. Feldeffekttransistoren arbeiten im Gegensatz zu Transistoren mit einer Steuerspannung beziehungsweise einem elektrischen Feld, ein Steuerstrom fließt dabei nicht. Außerdem lassen sich Feldeffekttransistoren auch für Wechselstromverstärkung einsetzen, bei bipolaren Transistoren ist das nicht möglich.